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没有核心的IGBT芯片，国产电动汽车谈什么弯道超车？
IBM全球首发2nm制程芯片
IBM全球首发2nm制程芯片
IBM全球首发2nm！3 33亿晶体管 mm²，性能比7nm芯片高45%5月7日报道，昨日，美国科技企业IBM发布全球首个2nm制程芯片制造技术。目前该技术
2021-05-07
没有核心的IGBT芯片，国产电动汽车谈什么弯道超车？
人无远虑，必有近忧！近日，中美贸易摩擦再次升级成为众人关注的焦点。美方对中方的压制以及中方的抵制，“备胎芯片”全部转正让国人热血沸
2021-03-25
桥式电路的开关产生的电流和电压
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作在文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on) 关断( Turn-off)动作进行
2021-02-24
SiC MOSFET的桥式结构
SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结
2021-02-01
同步整流型的布局
升压型DC DC转换器的PCB布局此前介绍过的电路板布局是以“升压型DC DC转换器的电流路径”中的二极管整流（异步整流）升压型转换器为前提进
2021-01-17
MOSFET导通电阻
何谓导通电阻？MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。关于导通
2020-12-04
总栅极电荷（Qg）
何谓总栅极电荷（Qg）？ "总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。 有时也称为栅极总电荷。 "单位为库仑（C）
2020-11-23
MOSFET的热阻和容许损耗：可背面散热的封装
设计电路时，MOSFET热计算是必不可少的项目，尤其是对于处理大功率的功率元器件而言，不仅从工作寿命的角度看很重要，从安全性方面看也非常
2020-09-10
电子小知识—负载开关
l关于负载开关ON时的浪涌电流l关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施l关于负载开关OFF时的逆电流关于负载开关ON时的浪涌电流负载
2020-06-30
元件温度计算方法
l结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本） l结点温度的计算方法2：根据周围温度（瞬态热阻） l结点温度的计算方法3：根据管壳温度 l
2020-05-12
IGBT多领域显身手 降低成本是关键
作为半导体行业的细分领域，功率半导体的重要性不容忽视，而IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是新一代功率半导体器件的中流砥柱，被业内视为电力
2020-02-24
SiC-MOSFET的可靠性
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。 栅极氧化膜针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和元器件结构优化，实现了与Si-MOSFET同等的可靠
2019-12-03
SiC器件的发展前景—SiC逆变器
在电动汽车驱动控制器中，逆变器是实现能量交直流转化的关键部件，用于电机的驱动或制动时的能量回收。市场对于控制器的能量传输效率、功率
2019-10-20
芯片制造工艺的演变
最近一系列事件再次表明，制约中国芯片产业发展的主要因素已集中到制造能力。如何快速提升制造能力，推动芯片产业发展？只有不断地研发和创
2019-08-26
无线电源知识
得益于苹果和安卓手机制造商，无线电源变得越来越普遍。但是，如果您曾经见过空气中的电气放电火花，您可能会担心这项技术的安全性。这个问
2019-05-24
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